技術(shù)編號：7105611
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種，特別是涉及一種使用化學液進行批次刻蝕的。背景技術(shù)以化學液作為濕式刻蝕、產(chǎn)品清洗在科技產(chǎn)業(yè)，如半導體產(chǎn)業(yè)、太陽能產(chǎn)業(yè)...等，已被廣泛的運用，參閱圖1、圖2，目前的包含有一個膜厚量測步驟111、一個刻蝕步驟112、一個清洗量測步驟113，及一個計算步驟114，而可批次進行已形成有膜體121的晶圓半成品12的刻蝕，使該批次的晶圓半成品12具有預定的該膜體 121厚度或膜體圖案，并可同時監(jiān)控得知使用中的化學液的刻蝕能力。首先，進行該膜厚量測步驟1...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。