技術(shù)編號：7105788
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及。背景技術(shù)含氮的III-V族化合物半導體(此后稱作“氮化物半導體”)具有對應于具有在紅外區(qū)域至紫外區(qū)域中的波長的光的能量的帶隙能量。因此，氮化物半導體可用作發(fā)光器件的材料，或用作光接受器件的材料，該發(fā)光器件發(fā)射出具有從紅外區(qū)域至紫外區(qū)域的波長的光，該光接受器件接收具有從紅外區(qū)域至紫外區(qū)域的波長的光。此外，構(gòu)成氮化物半導體的原子之間的鍵聯(lián)強，氮化物半導體的介質(zhì)擊穿電壓高，且氮化物半導體的飽和電子速度高。由于這些因素，氮化物半導體可用作諸如耐高溫和高...
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