技術(shù)編號：7106078
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。使用濺射和蒸發(fā)功能形成硫族化合物半導(dǎo)體材料的方法和系統(tǒng)本發(fā)明一般而言涉及薄膜的形成。更具體來說，本發(fā)明涉及使用復(fù)合真空沉積設(shè)備形成硫族化合物(chalcogenide)半導(dǎo)體材料。背景技術(shù)硫族化合物半導(dǎo)體材料用于多種用途并且近些年來它們的普遍性日益增加。硫族化合物是硫族元素和更具陽電性的元素或自由基的二元化合物。硫族元素是周期表中16族元素氧、硫、硒、碲、和釙。一種特別普及的硫族化合物半導(dǎo)體材料是硒化銅銦鎵 (CIGS)。發(fā)現(xiàn)了 CIGS材料在各種用途中的...
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