技術(shù)編號：7106927
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造エ藝，更具體地說，本發(fā)明涉及ー種。背景技術(shù)經(jīng)過長期研究發(fā)現(xiàn)，經(jīng)時絕緣擊穿TDDB (time dependent dielectricbreakdown,也稱為經(jīng)時介質(zhì)擊穿、經(jīng)時擊穿、與時間相關(guān)電介質(zhì)擊穿)是超大規(guī)模集成電路MOS器件柵極氧化層失效的主要機制。經(jīng)時絕緣擊穿TDDB可靠性測試，是評價MOS晶體管的薄柵氧化層質(zhì)量的重要方法。具體地說，經(jīng)時絕緣擊穿TDDB可靠性測試指的是在柵極上加恒定的電壓，使器件處于積累狀態(tài)；經(jīng)過一段時間后...
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