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      用于制備led倒裝芯片的圖形化襯底的制作方法技術資料下載

      技術編號:7108079

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      本發(fā)明涉及用于制備LED倒裝芯片的圖形化襯底。背景技術對于傳統(tǒng)倒裝加背鍍的矩形腔結構的LED,因為藍寶石的折射率為I. 76,氮化鎵的折射率為2. 4,由于折射率不一致而導致光子由外延層中的量子阱中發(fā)出后,經過藍寶石襯底介質時,會形成反射,出射角大于全反射角的光子由于光路沒有突變,最終只能在器件內部來回多次反射,能量慢慢衰減為零。理論上大約只有不到一半的光子出射角度小于全反射角,從而能從器件表面出射,這是導致倒裝芯片的光取出效率較低的主要原因之一發(fā)明內容 ...
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