技術(shù)編號：7109489
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及有源像素傳感器領(lǐng)域，特別涉及一種將圖像傳感器中的部分耗盡(PD)型和全耗盡(FD)型MOS器件在同一絕緣體上硅(SOI)基底實現(xiàn)的SOI結(jié)構(gòu)生成方法。背景技術(shù)圖像傳感器目前在各個領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。如汽車電子、數(shù)碼相機、視頻監(jiān)控、醫(yī)療電子衛(wèi)星對地觀測等領(lǐng)域都廣泛采用了圖像采集處理系統(tǒng)，圖像傳感器作為圖像采集處理系統(tǒng)的核心，自從上世紀(jì)60年代末期問世以來，得到了迅速的發(fā)展。過去由于C⑶圖像傳感器具有低噪聲、靈敏度高等優(yōu)點，而CMOS圖像傳感器過去存...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。