技術(shù)編號：7110186
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體，尤其涉及一種。背景技術(shù)隨著半導體工藝進入深亞微米時代，O. 18微米以下的元件(例如CMOS集成電路的有源區(qū)之間)大多采用淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)(STI)進行橫向隔離來制作。淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)作為一種器件隔離技術(shù)，其具體工藝包括參考圖1，提供襯底101 ;參考圖2，在所述襯底101上形成氮化硅層103 ;參考圖3，形成貫穿所述氮化硅層103的開口 105，所述開口 105具有與界定出有源區(qū)的隔離結(jié)構(gòu)對應(yīng)的形狀；參考圖4，以包含開口 105的氮化硅層1...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。