技術(shù)編號：7111540
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及到光電子器件領(lǐng)域，更確切地說，本發(fā)明涉及到組合有其大致293K溫度下的基態(tài)發(fā)射發(fā)生在大于1350nm處的半導(dǎo)體量子點的光電子器件的領(lǐng)域。半導(dǎo)體材料被用于許多光電子器件中。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)通常被安置成使器件在特定器件所希望的波長下具有光學(xué)活性。在許多應(yīng)用中，特別是在通信中，對于1250-1650nm波長的使用有所需求。這些波長非常適合于光纖傳輸和其它的光纖器件。已知基于磷化銦(InP)襯底來制造用于這些波長的光電子器件。能夠用砷化鎵(GaAs)襯底而不用...
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