技術(shù)編號：7119573
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本實用新型涉及一種多量子阱半導體激光器。背景技術(shù)由于具有體積小、重量輕、使用電驅(qū)動、電光轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)點，半導體激光器在工業(yè)加工、軍事國防、航空航天、醫(yī)療衛(wèi)生等領(lǐng)域得到了越來越為廣泛的應(yīng)用。目前大多數(shù)商用半導體激光器為單量子阱結(jié)構(gòu)，芯片有源區(qū)由一個量子阱層構(gòu)成，而多量子阱半導體激光器芯片有源區(qū)由η個量子阱層構(gòu)成(η >2)。相對于單量子阱半導體激光器，多量子阱半導體激光器有其獨特的優(yōu)勢在尺寸保持不變的情況下，多量子阱半導體激光器最高輸出功率可達單量子...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。