技術(shù)編號(hào)：7120092
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型技術(shù)應(yīng)用于晶體硅太陽能電池片制程中，單晶硅片的化學(xué)腐蝕制程工藝，特別是涉及一種新型的單晶硅片化學(xué)腐蝕花籃。背景技術(shù)目前，晶體硅太陽能電池制程中單晶硅片的化學(xué)腐蝕制程工藝中，硅片是垂直插在在片盒兩邊的卡槽中的，硅片在卡槽中是松動(dòng)的，硅片一面的兩條邊隨機(jī)的貼在卡槽的一邊。在化學(xué)腐蝕液中，硅片貼在片盒卡槽上的兩條邊，由于與片盒接觸，該區(qū)域化學(xué)腐蝕會(huì)受到影響，導(dǎo)致相對(duì)于其他區(qū)域該區(qū)域外觀發(fā)白，形成單面片盒印，并且該區(qū)域光學(xué)反射率偏高，削弱化學(xué)腐蝕的作用降...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。