技術(shù)編號：7121634
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。背景領(lǐng)域電路器件和用于形成電路器件的方法。背景場效應(yīng)晶體管(FET)是諸如多處理器或其它電路之類的集成電路的普通元件。晶體管一般包括形成于半導(dǎo)體基板中的源極和漏極結(jié)區(qū)域(junctionregion)，以及形成于基板的表面上的柵極電極。柵極長度一般為源極和漏極結(jié)區(qū)域之間的距離。在基板內(nèi)，柵極電極下且位于源極和漏極結(jié)之間的基板的區(qū)域一般被稱為溝道，溝道長度為源極和漏極結(jié)之間的距離。如上所述，許多晶體管器件形成在半導(dǎo)體基板中。為了提高基板的半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率，...
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