技術(shù)編號：7124422
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實用新型涉及一種具有階梯式多重不連續(xù)場板的LDMOS器件。背景技術(shù)在功率LDMOS器件中，要求在滿足源漏擊穿電壓BVdss的前提下，盡可能低降低器件的源漏導(dǎo)通電阻Rds，現(xiàn)有技術(shù)以降低器件的功率消耗來提高器件的工作效率。但是源漏擊穿電壓和導(dǎo)通電阻的優(yōu)化要求卻是相互矛盾的，在射頻LDMOS功率器件中，常采用場板技術(shù)來緩和這一矛盾。但是常用的單一場板技術(shù)有著較大的局限性，因為場板的水平部分與半導(dǎo)體表面間的距離恒定，如附圖說明圖1所示，但是理想的場板要求場板與...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。