技術(shù)編號：7131238
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及p型氧化鋅晶體薄膜的摻雜方法。具體說是關(guān)于金屬有機化學(xué)汽相沉積氧化鋅晶體薄膜過程中，實時摻氮生長p型氧化鋅晶體薄膜的方法。背景技術(shù) 氧化鋅作為一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，其在光電子領(lǐng)域有著很大的應(yīng)用前景。但要實現(xiàn)氧化鋅基器件的應(yīng)用，生長可控的具有一定載流子濃度的n和p型氧化鋅晶體薄膜是必須的。目前，人們對于n型氧化鋅晶體薄膜的研究已經(jīng)比較充分，已經(jīng)能夠?qū)崿F(xiàn)實時、濃度可控的低阻n型氧化鋅晶體薄膜的生長。但要使氧化鋅晶體薄膜制備出發(fā)光器件，必須制備氧...
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