技術(shù)編號(hào)：7136846
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種柵極結(jié)構(gòu)及其制作方法，特別是有關(guān)于一種。背景技術(shù) 金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field EffectTransistor，MOSFET)是在集成電路中相當(dāng)重要的一種基本電子組件，其由三種基本的材料，即導(dǎo)體層、介電層與半導(dǎo)體層等組成位在半導(dǎo)體基底上的柵極結(jié)構(gòu)。此外，還包括了兩個(gè)位于柵極結(jié)構(gòu)兩旁，且電性與半導(dǎo)體基底相反的半導(dǎo)體區(qū)，稱為源極與漏極。典型的介電層材料為SiO2，介電常數(shù)為3.9，由熱氧化...
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