技術(shù)編號(hào)：7142103
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體模塊。背景技術(shù)進(jìn)行大電流開關(guān)動(dòng)作和整流的功率半導(dǎo)體元件(例如整流用二極管、功率M0SFET、IGBT (絕緣柵型雙極晶體管，Insulated Gate Bipolar Transistor)等等)在工作中的發(fā)熱量很大。因此，對(duì)于將這樣的功率半導(dǎo)體元件內(nèi)置在塑封材料中的半導(dǎo)體模塊，希望具有很高的散熱功率。一般情況下，在半導(dǎo)體模塊中可以使用由散熱板和引線端子構(gòu)成的引線框架(Lead Frame)，并將功率半導(dǎo)體...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。