技術(shù)編號(hào)：7144881
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是關(guān)于一種，特別適用于將DRAM混載于邏輯晶片的所謂DRAM混載邏輯大規(guī)模集成電路(LSI)。背景技術(shù) 近幾年來，已將混載高性能邏輯電路和DRAM存儲(chǔ)器部分的DRAM混載器件實(shí)際應(yīng)用于要求小型化和大電容的存儲(chǔ)器—電容和高速資料傳送速度的多媒體機(jī)器中。DRAM混載器件從大的方面區(qū)分為溝渠電容器型和堆疊電容器型。溝渠電容器型為DRAM存儲(chǔ)單元(memory cell)的信息存儲(chǔ)部分的電容器設(shè)于半導(dǎo)體襯底的溝渠內(nèi)；堆疊電容器型電容器或電極三維堆疊于半導(dǎo)體襯...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。