技術(shù)編號(hào)：7145275
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件和制造該半導(dǎo)體器件的方法，更具體而言，涉及一種包括管道柵的三維(3D)非易失性存儲(chǔ)器件和制造該三維非易失性存儲(chǔ)器件的方法。背景技術(shù)非易失性存儲(chǔ)器件是即使中斷電源也可以保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器件。隨著具有在硅襯底上形成單層存儲(chǔ)器件的二維結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器件的集成度達(dá)到極限，已經(jīng)提出了在硅襯底上垂直地層疊存儲(chǔ)器單元的三維非易失性存儲(chǔ)器件。此后，結(jié)合附圖詳細(xì)描述現(xiàn)有的三維非易失性存儲(chǔ)器件的結(jié)構(gòu)和與該三維非易失性存儲(chǔ)器件相關(guān)的問題。圖1是解釋現(xiàn)有...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。