技術(shù)編號：7146513
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種。 背景技術(shù)磷化銦αηΡ)晶片是重要的化合物半導(dǎo)體材料，與砷化鎵(GaAs)相比，其優(yōu)越性主要在于高的飽和電場飄移速度、導(dǎo)熱性好以及較強的抗輻射能力等。在當(dāng)前迅速發(fā)展的光纖通訊領(lǐng)域，磷化銦晶片是首選的襯底材料。隨著磷化銦晶片的廣泛應(yīng)用，人們對晶片的表面質(zhì)量也提出了更高的要求。硅 (Si)和砷化鎵晶片的清洗方法已經(jīng)得到了較好解決，如中國專利CN101661869中所述。然而，由于磷化銦特殊的物理化學(xué)特性，同樣的方法往往不能令人滿意地應(yīng)用于磷化銦...
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