技術(shù)編號(hào)：7157490
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明實(shí)施例涉及薄膜晶體管。 背景技術(shù)一般來(lái)說(shuō)，薄膜晶體管包括柵電極、形成在柵電極上并通過(guò)柵絕緣層與柵電極電絕緣的半導(dǎo)體層以及與半導(dǎo)體層接觸的源電極和漏電極。當(dāng)薄膜晶體管的柵絕緣層被金屬或攙雜物污染時(shí)，污染物使得在晶體管的操作期間產(chǎn)生泄漏電流或截止電流(Ioff)(例如，盡管薄膜晶體管截止，但仍然流過(guò)薄膜晶體管的電流)。盡管薄膜晶體管被設(shè)計(jì)為在薄膜晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)電子不會(huì)遷移到半導(dǎo)體層中，因而實(shí)際上沒(méi)有電流流動(dòng)，但是由于在薄膜晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，電子...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。