技術(shù)編號(hào)：7157585
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)，特別涉及。 背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體器件的特征尺寸(CD，Critical Dimension)變得越來(lái)越小，半導(dǎo)體芯片的集成度越來(lái)越高，在單位面積上需要形成的單元數(shù)量和類型也越來(lái)越多，從而對(duì)半導(dǎo)體工藝的要求也越來(lái)越高。如何合理安排各種不同單元的位置、以及利用各單元制造的共同點(diǎn)來(lái)節(jié)約半導(dǎo)體工藝步驟和材料成為現(xiàn)在研究的熱點(diǎn)。在半導(dǎo)體器件制造中，多晶硅是一種很常用的導(dǎo)電材料，通常可以用于制作MOS 晶體管的柵電極、高阻值多晶硅電阻、閃存的浮...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。