技術(shù)編號(hào)：7157798
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及多級(jí)工作電壓的后柵極工藝半導(dǎo)體器件及其制備方法，具體而言，涉及一種單一厚度柵氧層實(shí)現(xiàn)多級(jí)工作電壓的后柵極工藝半導(dǎo)體器件及其制備方法。背景技術(shù)在邏輯電路或者存儲(chǔ)器電路中，因電路設(shè)計(jì)要求，CMOS采用多級(jí)工作電壓是很常見的。如對(duì)于核心電路，工作電壓一般采用低電壓，如1. 0V, 1. 2V，1. 5V等，而對(duì)于外圍電路，工作電壓一般采用高電壓，如1. 8V，2. 5V，3. 3V等。對(duì)于核心電路中的CMOS，一般稱為Core NMOS, Core P...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。