技術(shù)編號：7157808
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體儲存單元的制作方法，尤其涉及一種可實(shí)現(xiàn)同一儲存單元能夠保存twin bit數(shù)據(jù)的SONOS存儲單元、及其制作方法。背景技術(shù)非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲器的基本工作原理是在一個MOSFET的柵介質(zhì)中存儲電荷。 其中電荷被存儲在一個適當(dāng)?shù)慕橘|(zhì)層的分立的俘獲中心里的器件被稱為電荷俘獲器件。這類器件中最常用的是硅一氧化硅一氮化硅一氧化硅一娃(SONOS)存儲器。非揮發(fā)性存儲器在半導(dǎo)體存儲器件中扮演著重要的角色。隨著NVM器件尺寸的不斷減小，浮柵型非易失揮...
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