技術(shù)編號(hào)：7158945
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種制備高寬深比結(jié)構(gòu)的等離子蝕刻方法及等離子蝕刻裝置，且特別涉及一種間斷地提供一偏壓射頻電力以制備高寬深比結(jié)構(gòu)的等離子蝕刻方法及等離子蝕刻裝置。背景技術(shù)參考圖I至圖3，顯示現(xiàn)有堆疊式電容器的制備方法中的蝕刻步驟。如圖I所示，提供一基板12。該基板12包含四個(gè)柵極結(jié)構(gòu)14、一位元線接觸插塞16、二個(gè)電容器接觸插塞18,18a以及一介電層20。一碳硬罩(CarbonHard Mask) 10形成于該基板12上。該碳硬罩10具有一圖案101以曝露部分該...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。