技術(shù)編號(hào)：7159181
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種金屬氧化物半導(dǎo)體(metal-oxide-semiconductor，M0S)元件的結(jié)構(gòu)及其制造方法，特別涉及一種MOS元件硅化物區(qū)的形成。背景技術(shù)在微電子產(chǎn)業(yè)中，對(duì)于超大型集成電路(VLSI)系統(tǒng)而言，深次微米 (deep-submicron)尺寸的要求主宰了設(shè)計(jì)的考慮。隨著柵極尺寸的縮小，源/漏極的接面深度必須隨之縮小以抑制所謂的短溝道效應(yīng)(short channel effect，SCE)，其會(huì)降低微型化元件的性能。有關(guān)互補(bǔ)型金屬氧化物...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。