技術(shù)編號：7159409
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件。 背景技術(shù)在雙極器件中，導(dǎo)通狀態(tài)時流入基極層(或漂移層)的載流子在關(guān)斷之后不立即削減，在二極管的情況下，流過逆向電流，在絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)或晶閘管的情況下，流過尾電流。這構(gòu)成功耗(開關(guān)損耗)。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的實施方式提供一種降低開關(guān)損耗的半導(dǎo)體器件。根據(jù)實施方式，半導(dǎo)體器件具備基極層、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、第一絕緣膜與第一電極。所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層設(shè)...
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