技術編號：7159798
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體制造領域,特別涉及一種采用應力記憶技術(SMT, StressMemorization Technique)的 NMOS 器件制作方法。背景技術目前，半導體制造工業(yè)主要在硅襯底的晶片(wafer)器件面上生長器件，以金屬氧化物半導體場效應管(Metal-Oxide Semiconductor Field EffectTransistor, M0S)為例，MOS器件結構包括有源區(qū)、源極、漏極和柵極，其中，所述有源區(qū)位于硅襯底中，所述柵極位于有...
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