技術(shù)編號：7160523
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及用在液晶顯示器(LCD)板或有機(jī)電致發(fā)光顯示器(OELD)板的像素區(qū)中的存儲電容器的結(jié)構(gòu)和制造方法。特別是，本發(fā)明涉及在LCD或OELD的薄膜晶體管(TFT)的像素區(qū)中采用金屬誘發(fā)橫向結(jié)晶(MILC)來同時形成結(jié)晶硅像素晶體管和存儲電容器的技術(shù)。背景技術(shù) 圖1示意性地表示用于LCD的TFT板10，其包括像素區(qū)11和位于像素區(qū)周邊的驅(qū)動電路區(qū)12。在形成在襯底上的TFT的非晶硅層通過MILC結(jié)晶時，硅層的電子遷移率大大增加。采用結(jié)晶硅層，包括像素晶...
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