技術(shù)編號(hào):7161155
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域,特別涉及用于檢測(cè)半導(dǎo)體器件的層中的標(biāo)記的設(shè)備和方法以及半導(dǎo)體器件加工系統(tǒng)。背景技術(shù)在半導(dǎo)體器件的制造期間常常會(huì)涉及利用掩模板在晶片上形成多個(gè)層的工藝。在所述多個(gè)層的形成過程中,會(huì)涉及利用蝕刻等方式來實(shí)現(xiàn)各層的圖案化。為了使晶片上重疊的多個(gè)層之間的圖案能夠彼此對(duì)準(zhǔn),已知可在各層上形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。利用當(dāng)前層的掩模板與之前的層上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記之間進(jìn)行對(duì)準(zhǔn),能夠使所形成的當(dāng)前層上的圖案與之前的層上的圖案彼此對(duì)準(zhǔn)。所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可以具有相位反差(例如,...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。