技術(shù)編號(hào):7161178
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及電容器的結(jié)構(gòu),尤其涉及形成在半導(dǎo)體集成電路的多層連線結(jié)構(gòu)內(nèi)的MIM(金屬-絕緣-金屬)型電容器的結(jié)構(gòu)。在常規(guī)的模擬/邏輯器件單芯片化的半導(dǎo)體裝置中,形成MIM型電容器時(shí)需要增加光掩膜。例如,加工電容器的下部電極需要一片,加工電容器的上部電極也需要一片,共需要增加兩張光掩膜。另外,特開(kāi)2001-167974號(hào)公報(bào)、特開(kāi)2001-237375號(hào)公報(bào)、特開(kāi)2000-228497號(hào)公報(bào)記載了有關(guān)具有電容器的半導(dǎo)體裝置的技術(shù)。但是,這種常規(guī)的電容器制造方法...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。