技術(shù)編號：7162474
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體器件及其制造方法，特別涉及一種。背景技術(shù)相變存儲器(可縮略表示為PCM、PRAM或PCRAM)是一種新興的非易失性計算機存儲器技術(shù)。它可能在將來代替閃存，因為它不僅比閃存速度快得多，更容易縮小到較小尺寸，而且復(fù)原性更好，能夠?qū)崿F(xiàn)一億次以上的擦寫次數(shù)。PCM存儲單元是一種極小的硫族合金顆粒，通過電脈沖的形式集中加熱的情況下，它能夠從有序的晶態(tài)(電阻低)快速轉(zhuǎn)變?yōu)闊o序的非晶態(tài)(電阻高得多)。同樣的材料還廣泛用于各種可擦寫光學介質(zhì)的活性涂層，例如...
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