技術(shù)編號：7162848
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用于半導(dǎo)體器件的間隔元件。 背景技術(shù)隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的縮小，按比例縮小了半導(dǎo)體器件如金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFETs)并且集成電路(IC)的器件的數(shù)量增加。因此，ICs的柵極結(jié)構(gòu)之間的間隔降低(如柵極陣列中的節(jié)距變得更緊)。在形成這種IC的方法中，介電層如層間電介質(zhì)(ILD) 形成在襯底上并且填充在相鄰柵極之間的區(qū)域中。然而，當(dāng)柵極的布置變得更密和具有更小的間隔，ILD層通常不能有效地填充在相鄰柵極結(jié)構(gòu)之間的區(qū)域中。例如，ILD層中可...
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