技術(shù)編號(hào):7164019
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路及其制造領(lǐng)域,尤其涉及。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體器件集成度的持續(xù)增加以及與其相關(guān)的臨界尺寸的持續(xù)減小,銅后道互連工藝中互連線(contact)和金屬層(metal) 1中的通孔尺寸也越來(lái)越小,其深寬比卻維持不變或更大,使得后道互連工藝的難度越來(lái)越大。尤其是在65nm及其以下工藝中,隨著光刻膠厚度的減小,只用光刻膠作阻擋層進(jìn)行通孔刻蝕的工藝難度也越來(lái)越高。因此,人們引入硬掩膜層(Metal hard mask),以提高刻蝕過(guò)程中與介質(zhì)層之間...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。