技術(shù)編號：7165520
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，具體涉及一種BiCMOS (雙極性晶體管-互補(bǔ)型金屬氧化場效應(yīng)管)器件的制造方法，尤其涉及。背景技術(shù)本發(fā)明中所要實(shí)現(xiàn)的是一種自對準(zhǔn)CMOS技術(shù)，可以利用目前8英寸硅片生產(chǎn)線上的130納米技術(shù)，生產(chǎn)出性能和尺寸相當(dāng)于90納米技術(shù)的獨(dú)特的CMOS器件中的特殊結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明所要實(shí)現(xiàn)的經(jīng)濟(jì)且超高頻的SiGE BiCMOS (鍺硅-雙極性晶體管-互補(bǔ)型金屬氧化場效應(yīng)管)器件中，由于存在為了實(shí)現(xiàn)抬高的源漏區(qū)以及由多晶硅/介質(zhì)層/多晶硅...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。