技術(shù)編號：7165638
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，尤其涉及。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體技術(shù)的持續(xù)發(fā)展，器件的關(guān)鍵尺寸不斷降低。在此趨勢下，提出了鰭片式半導(dǎo)體器件，諸如鰭片式晶體管(FinFET)?，F(xiàn)今，鰭片式半導(dǎo)體器件廣泛用在存儲器和邏輯器件領(lǐng)域中。而隨著鰭片式半導(dǎo)體器件技術(shù)的不斷發(fā)展，工藝過程越來越復(fù)雜。因此，結(jié)型場效應(yīng)器件(例如，JFET)日漸成為對于MOSFET的替代選擇，因為其制備工藝相對MOSFET簡單。因此，存在對鰭片式結(jié)型場效應(yīng)器件及其制造方法的需求。針對此，發(fā)明人提出了新穎的富有...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。