技術(shù)編號(hào)：7165648
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開涉及用于半導(dǎo)體器件的封裝。更具體地，本公開涉及為單元化(単元化) 層疊半導(dǎo)體器件封裝提供針對(duì)射頻(RF)電磁干擾(EMI)的屏蔽。背景技術(shù)射頻(RF)屏蔽常為半導(dǎo)體器件所需，用于保護(hù)器件不受使器件性能降低的電磁干擾(EMI)。在器件附接于多層襯底的半導(dǎo)體器件封裝中，襯底通常包括絕緣層和導(dǎo)電層。 導(dǎo)電層典型地是包含多條導(dǎo)電跡線(trace)的銅線層。有效的RF屏蔽要求覆蓋器件頂部的屏蔽物(例如，共形金屬涂層)與提供器件下的屏蔽的跡線電連接。這又通常要求...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。