技術(shù)編號(hào)：7166169
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造，具體涉及一種源漏自對(duì)準(zhǔn)的MOS器件及其制作方法。背景技術(shù)III-V化合物半導(dǎo)體材料相對(duì)硅材料而言，具有高載流子遷移率、大的禁帶寬度等優(yōu)點(diǎn)，而且在熱學(xué)、光學(xué)和電磁學(xué)等方面都有很好的特性。在硅基CMOS技術(shù)日益逼近它的物理極限后，III-V化合物半導(dǎo)體材料以其高電子遷移率特性有可能成為備選溝道材料，用來(lái)制作CMOS器件。然而，III-V族半導(dǎo)體器件與硅器件有著許多不同的物理與化學(xué)性質(zhì)，適合于硅器件的MOS結(jié)構(gòu)及制作流程不一定可以應(yīng)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。