技術(shù)編號(hào):7166243
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造,特別涉及一種。背景技術(shù)在高壓MOS管的發(fā)展過(guò)程中,主要有垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(VDMOS) 和橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)。雖然VDMOS導(dǎo)通電阻小,占用版圖面積也小,但它是縱向結(jié)構(gòu),不易和低壓CMOS電路兼容。而LDMOS是平面結(jié)構(gòu),易于和大規(guī)模集成電路兼容,且工藝簡(jiǎn)單,易于實(shí)現(xiàn),性能穩(wěn)定,因此在各種高低電壓兼容的集成電路中得到廣泛的應(yīng)用。請(qǐng)參閱圖1,圖1是現(xiàn)有技術(shù)的橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。