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      用于制備含溶劑的低介電材料的組合物的制作方法技術(shù)資料下載

      技術(shù)編號(hào):7166526

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      本發(fā)明總體上涉及適用于例如電子器件的材料。技術(shù)背景在微電子工業(yè)中,對(duì)提高多層集成電路器件如存儲(chǔ)器和邏輯芯片中的電路 密度以改善運(yùn)行速度并斷氐功率消耗存在著持續(xù)的要求。為了繼續(xù)減小集成電 路上的器件尺寸,已有必要4柳具剤氐介電常數(shù)的絕緣體以降低互連金屬化的 阻容("RC")時(shí)間延遲并防止在不同層金屬化之間的電容性串?dāng)_。這樣的低介 電材料對(duì)于金屬前體(premetal)介電層和層間介電層是理想的。用于具有180nm線寬的器件的典型介電材料是介電常數(shù)約為3.8—...
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