技術(shù)編號：7167871
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制程，特別涉及一種解決自對準(zhǔn)高差問題的方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)致力于減少組件和集成電路的尺寸和能耗，以增加這些組件單位區(qū)域的積集度。隨機(jī)儲存內(nèi)存致力于縮小組件尺寸是為了提供更大的記憶容量。在過去的數(shù)年間，已有許多方法被開發(fā)出來，以減少組件尺寸和改進(jìn)容差值(tolerance),例如自對準(zhǔn)制程。自對準(zhǔn)制程是一種簡單進(jìn)行的制程方法，然而，自對準(zhǔn)制程會在多晶硅閘極和多晶硅接觸間產(chǎn)生高差。此高差會減少化學(xué)機(jī)械研磨制程窗裕度，且因此會產(chǎn)生橋接問題...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。