技術(shù)編號：7168161
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及微電子與固體電子學(xué)，特別是涉及。背景技術(shù)制備更小尺寸、更高性能的器件一直是半導(dǎo)體工業(yè)發(fā)展的目標(biāo)和方向，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，單純依靠Si材料已經(jīng)無法制備出足夠高速、低功耗的晶體管。從90nm工藝開始，應(yīng)變Si (sS1-strained silicon)技術(shù)在半導(dǎo)體領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。根據(jù)應(yīng)變Si的制備工藝，可以分為局部應(yīng)變和全局應(yīng)變。對于全局應(yīng)變Si,傳統(tǒng)方法一般米取首先在Si襯底上外延弛豫鍺化硅(SiGe)層，然后在該弛豫SiGe層上面外延應(yīng)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。