技術(shù)編號(hào):7168764
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路器件,更具體地,涉及一種具有提高的磁性層厚度余量的磁存儲(chǔ)器件。背景技術(shù)除了高操作速度和低功耗之外,快速的寫入/讀取操作和低操作電壓也是嵌入在電子設(shè)備中的存儲(chǔ)器件的有用特性。已經(jīng)提出磁存儲(chǔ)器件來(lái)滿足所述有用的特性。磁存儲(chǔ)器件可以具有高速操作和/或非易失性的特性。通常,磁存儲(chǔ)器件可以包括磁隧道結(jié)(以下,稱為MTJ)。MTJ可以包括一對(duì)磁性層和插入在這一對(duì)磁性層之間的由絕緣材料構(gòu)成的絕緣層。MTJ的電阻可以基于這一對(duì)磁性層的磁化方向而...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。