技術(shù)編號：7171043
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及一種適用于FPGA的柵氧擊穿反熔絲配置單元結(jié)構(gòu)，屬于CMOS集成電路設(shè)計。背景技術(shù)柵氧擊穿方式反熔絲不同于傳統(tǒng)的反熔絲結(jié)構(gòu)。傳統(tǒng)的反熔絲結(jié)構(gòu)主要有MTM反溶絲(Metal to Metal)和ONO反溶絲(Oxide-Nitride-Oxide)兩種，這兩種反溶絲結(jié)構(gòu)需要特殊工藝，無法采用現(xiàn)有的商用普通CMOS工藝實(shí)現(xiàn) 。柵氧擊穿方式反熔絲的最大的優(yōu)點(diǎn)是利用普通CMOS工藝線就可實(shí)現(xiàn)，不需要特殊的工藝層次和步驟，其反熔絲電介質(zhì)就是柵氧隔離層。...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。