技術(shù)編號(hào)：7171886
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，特別涉及具有柵絕緣膜等絕緣膜的。背景技術(shù) 近年來，隨著ULSI(Ultra Large Scale Integrated circuit，超特大規(guī)模硅集成電路)電路的高密度化·高集成化，元件的尺寸也日趨微小，要使元件的尺寸更加微小，在縮小元件本身尺寸的同時(shí)，元件隔離區(qū)域的微小化也日趨重要。為此提出了種種縮小元件隔離區(qū)域的方法，特別是提出了STI法(ShallowTrench Isolation法，淺槽隔離法)以代替現(xiàn)有的選擇氧化法(LOCOS法...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。