技術(shù)編號(hào):7171908
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件中的淺溝道隔離工藝的方法,尤其涉及利用雙襯墊氧化物的淺溝道隔離工藝。背景技術(shù) 隨著半導(dǎo)體元件的整合度不斷的提高,半導(dǎo)體元件的工藝亦必須因時(shí)制宜的更新。例如,在微米工藝中,當(dāng)成隔離用途的場(chǎng)氧化物,當(dāng)使用于深次微米工藝(0.25μm以下)時(shí),需占用較大的面積,同時(shí)會(huì)影響元件的平整性。此外,在形成場(chǎng)氧化物時(shí),無(wú)可避免的會(huì)發(fā)生鳥(niǎo)鳴效應(yīng)(bird’s beak effect),然而,無(wú)論如何改變場(chǎng)氧化物的工藝,均難以將鳥(niǎo)鳴兩側(cè)的長(zhǎng)度控制至1μ...
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