技術(shù)編號：7173996
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實用新型涉及一種RIE制絨晶體硅電池，特別是一種正面鈍化的RIE制絨晶體硅電池。背景技術(shù)當(dāng)前晶體硅太陽能電池生產(chǎn)中，一般采用PECVD方法生長單層SiNx薄膜作為正面鈍化層及減反膜，具有降低表面反射以及表面鈍化、體鈍化作用。一方面鈍化硅晶體表面， 減少表面復(fù)合中心；另一方面由于SiNx薄膜中含有大量的以N-H鍵和Si-H鍵存在的氫，燒結(jié)過程中氫從N-H鍵、Si-H鍵中釋放出來，然后擴(kuò)散進(jìn)入電池內(nèi)，起到體鈍化的作用。但SiNx沉積在硅片表面后，界面缺陷密度...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。