技術(shù)編號(hào)：7176839
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本案系關(guān)于非揮發(fā)記憶胞元，系用以永久儲(chǔ)存資料，特別是，本案系關(guān)于記憶胞元，其中資料的儲(chǔ)存經(jīng)由一“歐沃尼克(ovonic)”內(nèi)存材料，特別是一種歐沃尼克(ovonic)固體內(nèi)存。背景技術(shù) “歐沃尼克(ovonic)”內(nèi)存材料可呈現(xiàn)一種高電阻狀態(tài)與一種低電阻狀態(tài)，此內(nèi)存材料通常是一種可呈現(xiàn)在兩種狀態(tài)格式的合金在一種低電阻之多晶結(jié)構(gòu)與在高電阻之非結(jié)晶結(jié)構(gòu)。為了將內(nèi)存材料引入兩種狀態(tài)之其中之一，其必須被熔化而后再被冷卻，以便使其被固態(tài)化成兩種狀態(tài)格式之一。假使此內(nèi)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。