技術編號：7179347
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)單元的制造方法。更具體地，涉及一種具有改進的隧道氧化物窗口輪廓、從而具有較小尺寸的EEPROM單元的制造方法。背景技術 電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)是一種應用廣泛的半導體存儲器件，它既有隨機存取存儲器(RAM)在聯(lián)機操作中可讀可寫的特性，又具有非易失性只讀存儲器(ROM)在掉電后仍能保存所有存儲數(shù)據(jù)的優(yōu)點。它的最大優(yōu)點是可直接用電信號擦除，也可用電信號寫入。EEPROM單元通常由一個選擇晶體...
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