技術(shù)編號：7181252
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及保護膜圖案形成方法以及采用此方法制造半導體器件的方法，具體地說，是在含堿性物質(zhì)的底膜上高精度制作化學放大型保護膜的保護膜圖案制作方法以及采用此方法制造半導體器件的方法。參照附圖說明圖10(a)，依次在半導體基片101上制作被加工膜103，防反射膜105以及正型的化學放大型保護膜107。其次，參照圖10(b)，透過帶所要求圖案的掩膜109對半導體基片101照射準分子激光111，對化學放大型保護膜107進行曝光。這時，在化學放大型保護膜107內(nèi)，被光...
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