技術(shù)編號：7183819
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種包括形成于一個半導體襯底中的垂直絕緣柵極雙極晶體管(垂 直IGBT)和垂直續(xù)流二極管(垂直FWD)的半導體器件。背景技術(shù)例如，如在US2005/0017290A (對應于JP-A-2005-57235)和US2008/0048295A (對 應于JP-A-2008-53648)中所述，在常規(guī)反向?qū)↖GBT器件(RC-IGBT器件)中，在一個半 導體襯底中形成垂直FWD和垂直IGBT。 在RC-IGBT器件中，由公共電極提供FWP的陽極電極和...
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