技術(shù)編號：7184605
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件用電容器，更具體地涉及一種半導(dǎo)體器件中使用的在形成薄介電層時有效地抑制了電極材料的氧化電容器、其制造方法、以及采用該電容器并因而可高度集成的電子器件。背景技術(shù) 存儲器集成度越高，單位單元的尺寸越小且電容器的面積越小。因此，為了獲得在有限區(qū)域內(nèi)具有大的靜電量的電容，進(jìn)行了大量的對具有大介電常數(shù)的電容器電介質(zhì)的使用的研究，該電容器電介質(zhì)的使用激發(fā)了對高介電材料的需要，例如氧化鉭(TaO)和鈦酸鍶(SrTiO3)，這些材料具有比諸如SiO...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。